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IXGA150N33TC

更新时间： 2024-09-13 20:00:47
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 194K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IXGA150N33TC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：PLASTIC, TO-263, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：150 A
集电极-发射极最大电压：330 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：30 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：132 ns
标称接通时间 (ton)：42 nsBase Number Matches：1

IXGA150N33TC 数据手册

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Trench Gate High Speed  
IXGA150N33TC  
IXGQ150N33TC  
IXGQ150N33TCD1  
VCES  
ICP  
= 330V  
= 400A  
IGBT  
VCE(sat) ≤ 1.8V  
For PDP Applications  
150N33TC  
150N33TCD1  
TO-263 (IXGA)  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TC = 25°C to 150°C  
330  
V
V
G
E
VGEM  
Transient  
± 30  
(TAB)  
IC25  
ICP  
TC = 25°C, IGBT chip capability  
TJ ≤ 150°C, tp < 10 μs  
TJ ≤ 150°C, tp < 10 μs  
Lead current limit  
150  
400  
40  
A
A
A
A
TO-3P (IXGQ)  
IDP  
IC(RMS)  
75  
PC  
TC = 25°C  
300  
W
G
TJ  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
(TAB)  
C
E
TJM  
Tstg  
150  
-55 ... +150  
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
TL  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
TAB = Collector  
TSOLD  
Md  
Mounting torque (TO-220)(TO-3P)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-263  
TO-3P  
2.5  
5.5  
g
g
Features  
•International standard packages  
•Low VCE(sat)  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min.  
330  
3.0  
Typ.  
Max.  
- for minimum on-state conduction  
losses  
BVCES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
V
•Fast switching  
VGE(th)  
ICES  
5.0  
1
V
VCE = 330 V  
VGE= 0 V  
μA  
Applications  
TJ = 125°C  
200 μA  
• PDP Screen Drivers  
IGES  
VCE= 0 V, VGE = ±20 V  
VGE = 15V, IC = 75A  
±100 nA  
VCE(sat)  
1.48  
1.49  
1.83  
1.97  
1.8  
V
V
V
V
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
IC = 150A  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
DS99757A(09/08)  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGA15N100B LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
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