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IXGA15N120B

更新时间： 2024-09-13 03:14:35

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	56K
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HiPerFAST IGBT

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IXGA15N120B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	320 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	660 ns	标称接通时间 (ton)：	43 ns
Base Number Matches：	1

IXGA15N120B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES= 1200 V

IXGA 15N120B

IXGP 15N120B

I_C25

30 A

3.2 V

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 160 ns

Preliminary data

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-263 AA (IXGA)

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

I_CM= 40

(RBSOA)

Clampedinductiveload

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

150

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-220AB and TO-263AA

• Low switching losses, low V_(sat)

• MOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

- drivesimplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

1200

2.5

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

100

3.5

T_J= 125°C

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15

3.2

T_J= 125°C

2.5

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98660 (10/99)

1 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGA15N120C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
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IXGA16N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed w/ Diode
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