Datasheet > IXGA14N120B

IXGA14N120B

更新时间： 2024-10-30 12:20:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	156K
描述
IGBT Optimized for switching up to 35 KHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGA14N120B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263AA, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	28 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-263AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1210 ns	标称接通时间 (ton)：	45 ns

IXGA14N120B 数据手册

IXGA 14N120B

IXGP 14N120B

V_CES

I_C25

= 1200 V

28 A

IGBT

Optimized for

V_CE(sat)= 3.3 V

switching up to 35 KHz

Preliminary data sheet

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

TO-220AB(IXGP)

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-263AA(IXGA)

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 100 Ω

I_CM= 28

(RBSOA)

Clamped inductive load

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

•International standard packages

•L^JEow^DEV^C_CE^T_(sa^O_t)^{-220AB and TO-263AA}

- for minimum on-state conduction

losses

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

•MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

• C^poa^wpa^ec^rit^so^ur^pd^pi^ls^iec^sharge

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

250

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15V

100

3.3

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

V_CE(sat)

2.7

DS99382(04/05)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXGA14N120B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGA150N33TC	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
IXGA15N100B	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
IXGA15N100C	IXYS	获取价格	IGBT Lightspeed Series
IXGA15N120B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGA15N120B2	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA
IXGA15N120C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGA16N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed
IXGA16N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed w/ Diode
IXGA16N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT
IXGA16N60C2_10	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed

与IXGA14N120B相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

19
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

20
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGA14N120B

IXGA14N120B 技术参数

IXGA14N120B 数据手册

与IXGA14N120B相关器件

与IXGA14N120B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGA14N120B

IXGA14N120B 技术参数

IXGA14N120B 数据手册

与IXGA14N120B相关器件

与IXGA14N120B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？