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IXFT12N100QHV

更新时间： 2024-02-23 09:10:48

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IXFT12N100QHV 数据手册

IXFT12N100QHV

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

T_J= - 40ºC

T_J= 125ºC

25ºC

- 40ºC

25ºC

125ºC

3.0

0.3

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

1.1

100

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 10. Gate Charge

Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

V_DS= 500V

_D= 6A

I _G= 10mA

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 11. Capacitance

Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance

10,000

1,000

100

iss

0.1

oss

0.01

rss

= 1 MHz

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

V_DS- Volts

Pulse Width - Seconds

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS REF: F_12N100Q (7Q) 02-20-13-A

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