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IXFA102N15T

更新时间： 2024-11-13 11:13:59

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IXYS		栅
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6页	206K
描述
Trench Gate Power MOSFET HiperFET

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IXFA102N15T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	PLASTIC, TO-263, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	102 A	最大漏极电流 (ID)：	102 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	455 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFA102N15T 数据手册

Trench Gate Power

MOSFET HiperFET^TM

V_DSS= 150V

I_D25= 102A

R_DS(on)≤ 18mΩ

IXFA102N15T

IXFH102N15T

IXFP102N15T

t_rr

≤ 120ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXFA)

(TAB)

TO-220 (IXFP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C R_GS= 1MΩ

150

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

102

300

TO-247 (IXFH)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

(TAB)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

455

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Mounting Torque

Mounting Force

(TO-220 & TO-247)

(TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nmlb.in.

N/lb.

F_C^d

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

150

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

5.0

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

± 200 nA

μA

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

I_DSS

T_J= 150°C

750 μA

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

18 mΩ

DS100045A(04/09)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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IXFA10N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
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IXFA12N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFA12N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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