Datasheet > IXFA110N15T2

IXFA110N15T2

更新时间： 2024-11-05 11:13:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	203K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFA110N15T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.62	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A	最大漏极电流 (ID)：	110 A
最大漏源导通电阻：	0.013 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	480 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFA110N15T2 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET

Power MOSFET

V_DSS= 150V

I_D25= 110A

R_DS(on)≤ 13mΩ

IXFA110N15T2

IXFP110N15T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

150

(TAB)

V_DGR

TO-220

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

110

300

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

(TAB)

I_A

T_C= 25°C

E_AS

800

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM,, V_DD≤ V_DSS,T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

480

T_J

-55 ... +175

175

°C

Features

T_JM

T_stg

^zInternational standard packages

^z175°C Operating Temperature

^zHigh current handling capability

^zFast intrinsic Rectifier

-55 ... +175

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zDynamic dV/dt rated

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Low R_DS(on)

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

150

2.5

Applications

4.5

±200 nA

μA

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

T_J= 150°C

150 μA

13 mΩ

^zDC choppers

^zAC motor drives

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

^zUninterruptible power supplies

^zHigh speed power switching

applications

DS100093(12/08)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXFA110N15T2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFP110N15T2	IXYS	功能相似	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

与IXFA110N15T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA12N50P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiperFET
IXFA12N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA12N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFA12N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFA130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMV Power MOSFET HiperFET
IXFA130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFA130N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA130N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA130N15X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA130N15X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXFA110N15T2相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA110N15T2

IXFA110N15T2 技术参数

IXFA110N15T2 数据手册

IXFA110N15T2 替代型号

与IXFA110N15T2相关器件

与IXFA110N15T2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA110N15T2

IXFA110N15T2 技术参数

IXFA110N15T2 数据手册

IXFA110N15T2 替代型号

与IXFA110N15T2相关器件

与IXFA110N15T2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？