Datasheet > IXFA130N10T

IXFA130N10T

更新时间： 2024-11-19 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	309K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFA130N10T 数据手册

Preliminary Technical Information

Trench^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

IXFA130N10T

IXFP130N10T

V_DSS= 100V

I_D25= 130A

R_DS(on) 9.1m

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrisic Diode

TO-263

(IXFA)

D (Tab)

TO-220

(IXFP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

D (Tab)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

130

120

350

G = Gate

= Drain

S = Source Tab = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

Features

750

^Ultra-Low On Resistance

^Avalanche Rated

^Low Package Inductance

- Easy to Drive and to Protect

^175C Operating Temperature

^Fast Intrinsic Diode

P_D

T_C= 25C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

F_C

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

M_d



Easy to Mount

Space Savings

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0



High Power Density

Applications



Automotive

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

- Motor Drives

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.5

Typ.

Max.

- 42V Power Bus

- ABS Systems

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary Switch for 24V and 48V

Systems

Distributed Power Architechtures

and VRMs

Electronic Valve Train Systems

High Current Switching

Applications



4.5

 200



I_DSS

10 A

500A



T_J= 150C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 25A, Notes 1, 2

9.1 m



High Voltage Synchronous Recifier

DS100020A(11/18)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXFA130N10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA130N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA130N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA130N15X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA130N15X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA130N15X3TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA14N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFA14N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA14N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA14N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFA14N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXFA130N10T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA130N10T

IXFA130N10T 数据手册

与IXFA130N10T相关器件

与IXFA130N10T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA130N10T

IXFA130N10T 数据手册

与IXFA130N10T相关器件

与IXFA130N10T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？