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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 309K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFA130N10T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFA130N10T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFA130N15X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA130N15X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA130N15X3TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA14N60P | IXYS |
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PolarHV HiperFET Power MOSFET | |
IXFA14N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFA14N60P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA14N60P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFA14N85XHV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |