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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 173K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 优点: 应用: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFA12N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXFA12N80P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXFA130N10T | IXYS |
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TrenchMV Power MOSFET HiperFET |
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| IXFA130N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFA130N10T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFA130N10T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFA130N15X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFA130N15X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFA130N15X3TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFA14N60P | IXYS |
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PolarHV HiperFET Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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