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IXFA10N60P

更新时间： 2024-11-21 11:13:59

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4页	147K
描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFA10N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	4.29
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.74 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA10N60P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 10A

IXFA10N60P

IXFP10N60P

R_DS(on)≤ 740mΩ

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-263 AA (IXFA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

600

V_DGR

TO-220AB (IXFP)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

= Drain

I_A

T_C= 25°C

E_AS

500

G = Gate

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

S = Source

Tab = Drain

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

^zInternational Standard Packages

^zDynamic dv/dt Rating

^zAvalanche Rated

-55 ... +150

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

^zFast Intrinsic Rectifier

^zLow Q_G

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zLow R_DS(on)

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

^zLow Package Inductance

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600

3.0

Applications

5.5

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

±100 nA

I_DSS

25 μA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

500 μA

^zUninterrupted Power Supplies

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

740 mΩ

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS99424F(04/10)

12 3 4

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IXFA10N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP10N60P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFP10N60P	IXYS	功能相似	Polar HiPerFET Power MOSFET

与IXFA10N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA10N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFA10N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA110N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA110N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA12N50P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiperFET
IXFA12N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA12N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFA12N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFA130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMV Power MOSFET HiperFET
IXFA130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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