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IXFA10N80P

更新时间： 2024-11-21 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFA10N80P 数据手册

Polar^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFA10N80P

IXFP10N80P

IXFQ10N80P

IXFH10N80P

V_DSS= 800V

I_D25= 10A

R_DS(on) 1.1

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

 250ns

Fast Intrinsic Diode

TO-263 (IXFA)

TO-220 (IXFP)

TO-3P (IXFQ)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

800

TO-247 (IXFH)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source

= Drain

I_A

T_C= 25C

Tab = Drain

E_AS

600

dV/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

300

Features

T_J

-55 ... +150

150

C

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

^Low Package Inductance

^Easy to Drive and to Protect

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

F_C

Mounting Force (TO-263)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

M_d

Mounting Torque (TO-220, TO-247 & TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0



TO-247

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^Switched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

800

3.0

Typ.

Max.

^DC-DC Converters

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^Laser Drivers

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

5.5

          100 nA

I_DSS

25 A

T_J= 150C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

500A

R_DS(on)

1.1



DS99432G(6/18)

12 3 4 5 6 7

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与IXFA10N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA110N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA110N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA12N50P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiperFET
IXFA12N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA12N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFA12N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFA130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMV Power MOSFET HiperFET
IXFA130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFA130N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA130N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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