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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 374K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFA110N15T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFA110N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFA12N50P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiperFET | |
IXFA12N50P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFA12N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXFA12N80P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXFA130N10T | IXYS |
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TrenchMV Power MOSFET HiperFET | |
IXFA130N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFA130N10T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFA130N10T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |