型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFA102N15T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET HiperFET | |
IXFA102N15T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFA10N60P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFA10N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFA10N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFA10N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFA110N15T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFA110N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFA12N50P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiperFET | |
IXFA12N50P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |