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IRLR3105TRRPBF

更新时间: 2024-11-05 13:08:55
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 170K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 55V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

IRLR3105TRRPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.12
其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级(Eas):61 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V最大漏极电流 (Abs) (ID):25 A
最大漏极电流 (ID):25 A最大漏源导通电阻:0.037 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):57 W最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRLR3105TRRPBF 数据手册

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