5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR3705ZTRL
IRLR3705ZTRL PDF预览

IRLR3705ZTRL

更新时间： 2024-11-27 13:08:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 287K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRLR3705ZTRL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：End Of Life
包装说明：DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRLR3705ZTRL 数据手册

 浏览型号IRLR3705ZTRL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLR3705ZTRL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLR3705ZTRL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLR3705ZTRL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLR3705ZTRL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLR3705ZTRL的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 96896  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRLR3705Z  
IRLU3705Z  
Features  
lLogic Level  
lAdvanced Process Technology  
lUltra Low On-Resistance  
l175°C Operating Temperature  
lFast Switching  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
lRepetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
RDS(on) = 8.0mΩ  
G
Description  
ID = 42A  
Specifically designed for Automotive applications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Additional features  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating . These features com-  
bine to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in Automotive applications  
and a wide variety of other applications.  
S
D-Pak  
I-Pak  
IRLU3705Z  
IRLR3705Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
89  
D
D
D
C
@ T = 100°C  
63  
42  
A
C
@ T = 25°C  
C
360  
130  
DM  
P
@T = 25°C Power Dissipation  
W
D
C
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.88  
± 16  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
110  
190  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
EAR  
mJ  
T
T
-55 to + 175  
J
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.14  
40  
Units  
Junction-to-Case  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
–––  
°C/W  
–––  
110  
HEXFET® isaregisteredtrademarkofInternationalRectifier.  
www.irf.com  
1
9/29/04  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与IRLR3705ZTRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLR3705ZTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR3705ZTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR3705ZTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR3714 INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRLR3714PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max
IRLR3714TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLR3714TRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLR3714TRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLR3714TRPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRLR3714Z INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET

与IRLR3705ZTRL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证