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IRLR3705ZTRRPBF

更新时间： 2024-11-27 21:20:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 340K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRLR3705ZTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A
最大漏极电流 (ID)：42 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：130 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLR3705ZTRRPBF 数据手册

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PD - 95956A  
IRLR3705ZPbF  
IRLU3705ZPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
Logic Level  
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 8.0mΩ  
G
Description  
ID = 42A  
ThisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthelatest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea.Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating.Thesefeaturescombine  
to make this design an extremely efficient and  
reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
S
I-Pak  
D-Pak  
IRLU3705ZPbF  
IRLR3705ZPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
89  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
63  
A
(Package Limited)  
@ T = 25°C  
C
42  
360  
130  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
0.88  
± 16  
W/°C  
V
V
GS  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Thermally limited)  
110  
190  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
E
AS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
EAR  
mJ  
T
J
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.14  
40  
Units  
Junction-to-Case  
RθJC  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
Rθ  
–––  
°C/W  
JA  
RθJA  
–––  
110  
HEXFET® isaregisteredtrademarkofInternationalRectifier.  
www.irf.com  
1
10/01/10  
1234567...11

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