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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR3110ZTRPBF
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IRLR3110ZTRPBF

更新时间： 2024-11-05 12:27:55
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英飞凌 - INFINEON /
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11页 322K
描述
Advanced Process Technology

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IRLR3110ZTRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.66
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW ON RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：63 A
最大漏极电流 (ID)：42 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：250 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLR3110ZTRPBF 数据手册

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PD - 97175B  
IRLR3110ZPbF  
IRLU3110ZPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
D
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
VDSS = 100V  
G
RDS(on) = 14mΩ  
Description  
Specifically designed for Industrial applications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating . These features com-  
binetomakethisdesignanextremelyefficientand  
reliable device for use in Industrial applications  
and a wide variety of other applications.  
S
D-Pak  
I-Pak  
IRLU3110ZPbF  
IRLR3110ZPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
63  
Units  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
(Silicon Limited)  
(Silicon Limited)  
(Package Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
D
D
D
@ T = 100°C  
C
45  
A
@ T = 25°C  
C
42  
250  
140  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
0.95  
±16  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS (Thermally limited)  
110  
140  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
E
AS (Tested )  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
°C  
Storage Temperature Range  
STG  
Reflow Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.05  
40  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
110  
HEXFET® isaregisteredtrademarkofInternationalRectifier.  
www.irf.com  
1
11/30/09  
1234567...11

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IRLR3110ZTRPBF 替代型号

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