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IRLR3636TRRPBF

更新时间： 2024-11-24 20:00:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 383K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3/2

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IRLR3636TRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
雪崩能效等级（Eas）：170 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.0083 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：396 A表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLR3636TRRPBF 数据手册

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PD - 96224  
IRLR3636PbF  
IRLU3636PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l DC Motor Drive  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
60V  
5.4m  
6.8m  
99A  
G
Benefits  
50A  
l Optimized for Logic Level Drive  
l Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS  
l Superior R*Q at 4.5V VGS  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
D
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
S
S
D
G
G
D-Pak  
I-Pak  
IRLU3636PbF  
IRLR3636PbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
99  
Units  
ID @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
70  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
50  
396  
143  
0.95  
±16  
22  
PD @TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
Operating Junction and  
-55 to + 175  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case)  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Thermally limited)  
170  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig.14, 15, 22a, 22b  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.05  
50  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
www.irf.com  
1
02/06/09  
1234567...10

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