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IRLR3110ZPBF

更新时间： 2024-09-15 02:53:07

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管 PC
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11页	736K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRLR3110ZPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, D-PAK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	6.88	Samacsys Confidence：	4
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	934753
Samacsys Pin Count：	3	Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：	Other	Samacsys Footprint Name：	D-PAK (TO-252)
Samacsys Released Date：	2018-06-29 15:14:44	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

IRLR3110ZPBF 数据手册

PD - 97175A

AUTOMOTIVE MOSFET

IRLR3110ZPbF

IRLU3110ZPbF

Features

HEXFET^®Power MOSFET

Advanced Process Technology

UltraLowOn-Resistance

175°COperatingTemperature

Fast Switching

V_DSS= 100V

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

R_DS(on)= 14mΩ

Description

SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,

this HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest

processing techniques to achieve extremely low

on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures

of this design are a 175°C junction operating

temperature, fast switching speed and improved

repetitive avalanche rating . These features com-

binetomakethisdesignanextremelyefficientand

reliable device for use in Automotive applications

and a wide variety of other applications.

D-Pak

I-Pak

IRLU3110ZPbF

IRLR3110ZPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

@ T = 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

Pulsed Drain Current

@ T = 100°C

@ T = 25°C

250

140

@T = 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.95

±16

W/°C

Gate-to-Source Voltage

E_{AS (Thermally limited)}

110

140

Single Pulse Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

E_AS(Tested )

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

E_AR

Repetitive Avalanche Energy

-55 to + 175

Operating Junction and

°C

Storage Temperature Range

STG

Reflow Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.05

Units

R_θ

Junction-to-Case

R_θ

°C/W

Junction-to-Ambient (PCB mount)

Junction-to-Ambient

110

HEXFET^®isaregisteredtrademarkofInternationalRectifier.

www.irf.com

03/09/06

12 3 4 5 6 7...11

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IRLR3110ZPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AUIRLR3110Z	INFINEON	类似代替	AUTOMOTIVE GRADE
IRLR3110ZTRPBF	INFINEON	类似代替	Advanced Process Technology

与IRLR3110ZPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR3110ZPBF_09	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance, 175C Operating Temperature
IRLR3110ZTRPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRLR3114Z	INFINEON	获取价格	40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
IRLR3114ZPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR3114ZTRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR3303	INFINEON	获取价格	Power MOSFET
IRLR3303PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLR3303TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR3303TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR3303TRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述

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