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IRLR3636TRPBF PDF预览

IRLR3636TRPBF

更新时间： 2024-11-06 19:26:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 384K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3/2

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IRLR3636TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：DPAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.61雪崩能效等级（Eas）：170 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0083 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：396 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLR3636TRPBF 数据手册

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PD - 96224  
IRLR3636PbF  
IRLU3636PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l DC Motor Drive  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
60V  
5.4m  
6.8m  
99A  
G
Benefits  
50A  
l Optimized for Logic Level Drive  
l Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS  
l Superior R*Q at 4.5V VGS  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
D
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
S
S
D
G
G
D-Pak  
I-Pak  
IRLU3636PbF  
IRLR3636PbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
99  
Units  
ID @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
70  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
50  
396  
143  
0.95  
±16  
22  
PD @TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
Operating Junction and  
-55 to + 175  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case)  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Thermally limited)  
170  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig.14, 15, 22a, 22b  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.05  
50  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
www.irf.com  
1
02/06/09  
1234567...10

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IRLR3636TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRLR3636 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR3705Z INFINEON

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 		Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET Power MOSFET
IRLR3705ZPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET
IRLR3705ZTR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR3705ZTRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR3705ZTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR3705ZTRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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