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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | PLASTIC, DPAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 61 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.037 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AUIRLR3105TRL | INFINEON |
完全替代  |
AUTOMOTIVE GRADE |
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| IRLR3105TRRPBF | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 55V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR3105PBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRLR3105TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 55V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR3105TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Logic-Level Gate Drive |
|
| IRLR3105TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 55V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR3110Z | INFINEON |
获取价格 |
100V HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装 |
|
| IRLR3110ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRLR3110ZPBF_09 | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance, 175C Operating Temperature |
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| IRLR3110ZTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
|
| IRLR3114Z | INFINEON |
获取价格 |
40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装 |
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| IRLR3114ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
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