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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR3105PBF
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IRLR3105PBF

更新时间： 2024-11-05 04:23:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 309K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRLR3105PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.61
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：61 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.037 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：57 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRLR3105PBF 数据手册

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PD - 95553A  
IRLR3105PbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRLU3105PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
l
l
l
l
l
l
l
Logic-Level Gate Drive  
VDSS = 55V  
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 0.037Ω  
G
ID = 25A  
S
Description  
®
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power  
MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely  
low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are  
a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and im-  
proved repetitive avalanche rating . These features combine to make this  
design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive  
applications and a wide variety of other applications.  
D-Pak  
IRLR3105  
I-Pak  
IRLU3105  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor phase, infrared,  
or wave soldering techniques. The straight lead version (IRLU series) is  
for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to  
1.5 watts are possible in typical surface mount applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
25  
18  
A
100  
57  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.38  
± 16  
61  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value‡  
Avalanche Current  
mJ  
EAS (tested)  
IAR  
94  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy†  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
dv/dt  
TJ  
3.4  
V/ns  
-55 to + 175  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
2.65  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
110  
www.irf.com  
1
12/7/04  
1234567...11

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IRLR3105PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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