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IRHY57234CMSES

更新时间： 2024-11-18 21:06:39

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	2397K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IRHY57234CMSES 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
其他特性：	RADIATION HARDENED	雪崩能效等级（Eas）：	59 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.6 A	最大漏极电流 (ID)：	9.6 A
最大漏源导通电阻：	0.41 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-257AA	JESD-30 代码：	R-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	38.4 A	参考标准：	RH - 100K Rad(Si)
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	65 ns
最大开启时间（吨）：	125 ns	Base Number Matches：	1

IRHY57234CMSES 数据手册

PD-93823D

IRHY57234CMSE

JANSR2N7556T3

250V, N-CHANNEL

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

THRU-HOLE(TO-257AA)

REF: MIL-PRF-19500/705

5^TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number

Radiation Level

RDS(on)

I_D

QPL Part Number

IRHY57234CMSE 100 kRads(Si)

9.6A

JANSR2N7556T3

0.41

TO-257AA

Description

Features

IR HiRel R5 technology provides high performance power

MOSFETs for space applications. These devices have

been characterized for both Total Dose and Single Event

Effect (SEE) with useful performance up to LET of 80

(MeV/(mg/cm2). The combination of low RDS(on) and low

gate charge reduces the power losses in switching

applications such as DC-DC converters and motor

controllers. These devices retain all of the well established

advantages of MOSFETs such as voltage control, fast

switching, ease of paralleling and temperature stability of

electrical parameters.

 Single Event Effect (SEE) Hardened

 Low RDS(on)

 Low Total Gate Charge

 Simple Drive Requirements

 Hermetically Sealed

 Ceramic Eyelets

 Light Weight

 ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750,

Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Symbol

Value

Parameter

Units

I_D1@ V_GS= 12V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D2@ V_GS= 12V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

9.6

6.0

38.4

I_DM@T_C= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Pulsed Drain Current 

W/°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

0.6

± 20

V_GS

E_AS

I_AR

9.6

7.5

2.4

V/ns

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)

4.3 (Typical)

Weight

For Footnotes, refer to the page 2.

International Rectifier HiRel Products, Inc.

2019-03-19

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRHY57Z30CM	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY58034CM	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-257AA
IRHY58130CM	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET
IRHY58230CM	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY58Z30CM	ETC	获取价格	30V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package
IRHY593034CM	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY593130CM	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY593130CMPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.215ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
IRHY593130CMSCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRHY593230CM	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

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