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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 97 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 550 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.4 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AA |
| JESD-30 代码： | R-XSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13.6 A | 参考标准： | RH - 300K Rad(Si) |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHY63C30CM | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
|
| IRHY67434CM | INFINEON |
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Simple Drive Requirements |
|
| IRHY67434CM_15 | INFINEON |
获取价格 |
Simple Drive Requirements |
|
| IRHY67C30C | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IRHY67C30CM | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
|
| IRHY67C30CMSCS | INFINEON |
获取价格 |
Rad hard, 600V, 3.4A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100 k |
|
| IRHY67C30CSCS | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IRHY7130CM | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
|
| IRHY7230CM | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
|
| IRHY7230CMPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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