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IRHY63434CM

更新时间： 2024-11-19 01:09:19

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
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8页	199K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE

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IRHY63434CM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.38	雪崩能效等级（Eas）：	97 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	550 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.4 A
最大漏极电流 (ID)：	3.4 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	R-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	13.6 A
参考标准：	RH - 300K Rad(Si)	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRHY63434CM 数据手册

PD-97805

IRHY67434CM

550V, N-CHANNEL

TECHNOLOGY

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-257AA)

Product Summary

Part Number

Radiation Level RDS(on)

IRHY67434CM 100K Rads (Si)

IRHY63434CM 300K Rads (Si)

3.0Ω

3.4A

International Rectifier’s R6^TMtechnology provides

superior power MOSFETs for space applications.

These devices have improved immunity to Single

Event Effect (SEE) and have been characterized for

useful performance with Linear Energy Transfer (LET)

up to 90MeV/(mg/cm²).

TO-257AA

Features:

Low RDS(on)

Fast Switching

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low Total Gate Charge

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Their combination of very low R

and faster

DS(on)

switching times reduces power loss and increases

power density in today’s high speed switching

applications such as DC-DC converters and motor

controllers. These devices retain all of the well

established advantages of MOSFETs such as voltage

control, ease of paralleling and temperature stability

of electrical parameters.

Hermetically Sealed

Ceramic Eyelets

Electrically Isolated

Light Weight

Pre-Irradiation

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current

3.4

2.1

@ V

= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current À

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

13.6

@ T = 25°C

W/°C

0.6

±20

Single Pulse Avalanche Energy Á

Avalanche Current À

3.4

Repetitive Avalanche Energy À

Peak Diode Recovery dv/dt Â

Operating Junction

7.5

V/ns

dv/dt

8.1

-55 to 150

°C

Storage Temperature Range

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

4.3 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

01/11/13

12 3 4 5 6 7 8

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