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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHYB593Z30CMPBF
IRHYB593Z30CMPBF PDF预览

IRHYB593Z30CMPBF

更新时间： 2024-11-21 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 174K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, TABLESS TO-257AA, 3 PIN

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IRHYB593Z30CMPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-XSIP-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.072 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XSIP-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHYB593Z30CMPBF 数据手册

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PD-95841A  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)  
IRHYB67130CM  
100V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHYB67130CM 100K Rads (Si) 0.042Ω 20A*  
IRHYB63130CM 300K Rads (Si) 0.042Ω 20A*  
Low-Ohmic  
TO-257AA  
Tabless  
International Rectifier’s R6TM technology provides  
superior power MOSFETs for space applications.  
These devices have improved immunity to Single  
Event Effect (SEE) and have been characterized for  
useful performance with Linear Energy Transfer  
(LET) up to 90MeV/(mg/cm2). Their combination of  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
very low R  
and faster switching times reduces  
DS(on)  
power loss and increases power density in today’s  
high speed switching applications such as DC-DC  
converters and motor controllers. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, ease of paralleling  
and temperature stability of electrical parameters.  
Electrically Isolated  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
20*  
19  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
80  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
0.6  
V
±20  
107  
20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.5  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
3.7 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
11/18/04  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHYB597034CM INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
IRHYB597034CMPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.087ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHYB597034CMSCS INFINEON

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 		Rad hard, -60V, -20A, single, P-channel MOSFET, R5 in a TO-257AA Tabless Low Ohmic package
IRHYB597Z30CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
IRHYB597Z30CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHYB597Z30CMSCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IRHYB63130CM INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
IRHYB63134CM INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
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 		Rad hard, 150V, 19A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-257AA Tabless Low Ohmic package
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