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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHY7230CM
IRHY7230CM PDF预览

IRHY7230CM

更新时间： 2024-01-14 12:27:49
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 106K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

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IRHY7230CM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-257AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.16其他特性：RADIATION HARDENED; AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：9.4 A最大漏源导通电阻：0.49 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-CSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：37.6 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：130 ns
最大开启时间（吨）：110 nsBase Number Matches：1

IRHY7230CM 数据手册

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PD - 91273C  
IRHY7230CM  
JANSR2N7381  
200V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
REF:MIL-PRF-19500/614  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level  
RDS(on)  
0.40Ω  
0.40Ω  
0.40Ω  
ID  
QPL Part Number  
IRHY7230CM 100K Rads (Si)  
IRHY3230CM 300K Rads (Si)  
IRHY4230CM 600K Rads (Si)  
9.4A JANSR2N7381  
9.4A JANSF227381  
9.4A JANSG2N7381  
9.4A JANSH2N7381  
IRHY8230CM 1000K Rads (Si) 0.40Ω  
TO-257AA  
International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rds(on) and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
9.4  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
6.0  
37  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
150  
mJ  
A
AS  
I
5.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
16  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)  
7.0 (Typical )  
Lead Temperature  
Weight  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/17/01  
12345678

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IRHY7230CM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANSR2N7381 INFINEON

完全替代

 Rad hard, 200V, 9.4A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100 k
IRHY7230CMPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHY8230CM INFINEON

功能相似

 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHY7230CMPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHY7G30CMSE INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO
IRHY7G30CMSEPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHY7G30CMSESCV INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHY9130CMSCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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