5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRHY8230CM
IRHY8230CM PDF预览

IRHY8230CM

更新时间： 2024-09-23 22:10:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 106K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHY8230CM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
其他特性：RADIATION HARDENED; AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.4 A
最大漏极电流 (ID)：9.4 A最大漏源导通电阻：0.49 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-CSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：37.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHY8230CM 数据手册

 浏览型号IRHY8230CM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHY8230CM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHY8230CM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHY8230CM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHY8230CM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHY8230CM的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91273C  
IRHY7230CM  
JANSR2N7381  
200V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
REF:MIL-PRF-19500/614  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level  
RDS(on)  
0.40Ω  
0.40Ω  
0.40Ω  
ID  
QPL Part Number  
IRHY7230CM 100K Rads (Si)  
IRHY3230CM 300K Rads (Si)  
IRHY4230CM 600K Rads (Si)  
9.4A JANSR2N7381  
9.4A JANSF227381  
9.4A JANSG2N7381  
9.4A JANSH2N7381  
IRHY8230CM 1000K Rads (Si) 0.40Ω  
TO-257AA  
International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rds(on) and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
9.4  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
6.0  
37  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
150  
mJ  
A
AS  
I
5.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
16  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)  
7.0 (Typical )  
Lead Temperature  
Weight  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/17/01  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRHY8230CM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANSR2N7381 INFINEON

功能相似

 Rad hard, 200V, 9.4A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100 k
IRHY7230CMPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHY7230CM INFINEON

功能相似

 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

与IRHY8230CM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHY9130CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY9130CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHY9130CMSCS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHY9130CMSCSPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRHY9230CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY9230CMSCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -200V, -6.5A, single, P-channel MOSFET, R4 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100
IRHY9230CMSCSA INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -200V, -6.5A, single, P-channel MOSFET, R4 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100
IRHY93130CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY93130CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHY93230CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

与IRHY8230CM相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证