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IRHY9130CMSCS

更新时间： 2024-01-02 22:37:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 131K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA

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IRHY9130CMSCS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.35 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257AAJESD-30 代码：S-MSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHY9130CMSCS 数据手册

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PD - 91400B  
IRHY9130CM  
JANSR2N7382  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
100V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/615  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
IRHY9130CM 100K Rads (Si) 0.30Ω  
IRHY93130CM 300K Rads (Si) 0.30Ω  
ID  
QPL Part Number  
-11A JANSR2N7382  
-11A JANSF2N7382  
International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
TO-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-11  
D
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
-7.0  
-44  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
150  
mJ  
A
AS  
I
-11  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-16  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
(0.063 in (1.6mm)from case for 10s)  
4.3 (Typical)  
Lead Temperature  
Weight  
300  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
4/17/01  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHY9130CMSCSPBF INFINEON

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IRHY9230CM INFINEON

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