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IRHY93130CM

更新时间： 2024-02-04 12:20:15
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 116K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

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IRHY93130CM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7其他特性：HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-MSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHY93130CM 数据手册

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PD - 91400C  
IRHY9130CM  
JANSR2N7382  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
100V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/615  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
IRHY9130CM 100K Rads (Si) 0.30Ω  
IRHY93130CM 300K Rads (Si) 0.30Ω  
ID  
QPL Part Number  
-11A JANSR2N7382  
-11A JANSF2N7382  
International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
TO-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-11  
D
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
-7.0  
-44  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
150  
mJ  
A
AS  
I
-11  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-16  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
(0.063 in (1.6mm)from case for 10s)  
4.3 (Typical)  
Lead Temperature  
Weight  
300  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
06/13/02  
12345678

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IRHY93130CM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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