Datasheet > IRHY9230CMSCS

IRHY9230CMSCS

更新时间： 2024-11-06 14:53:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
13页	563K
描述
Rad hard, -200V, -6.5A, single, P-channel MOSFET, R4 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100 krad(Si) TID, QIRL

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRHY9230CMSCS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	雪崩能效等级（Eas）：	165 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	6.5 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	S-CSFM-P3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	26 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRHY9230CMSCS 数据手册

IRHY9230CM

PD-91401A

Radiation Hardened Power MOSFET

Thru-Hole (TO-257AA)

200V, P-channel, Rad Hard HEXFET™ Technology

Features

Product Summary

•

Single event effect (SEE) hardened

Low R_DS(on)

Part number: IRHY9230CM

Radiation level: 100 krads (Si)

R_DS(on),max: 0.8Ω

Low total gate charge

Proton tolerant

I_D: -6.5A

Simple drive requirements

Hermetically sealed

Ceramic package

Light weight

TO-257AA

Potential Applications

•

DC-DC converter

Motor drives

Solid state relays

Product Validation

Qualified to IR HiRel’s S-level screening flow which is equivalent to MIL-PRF-19500

Description

IR HiRel rad hard HEXFET technology provides high performance power MOSFETs for space applications. This

technology has over a decade of proven performance and reliability in satellite applications. These devices have

been characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE). The combination of low R_DS(on)and low

gate charge reduces the power losses in switching applications such as DC to DC converters and motor control.

These devices retain all of the well established advantages of MOSFETs such as voltage control, fast switching

and temperature stability of electrical parameters.

Ordering Information

Table 1

Ordering options

Part number

IRHY9230CM

Package

TO-257AA

Screening Level

COTS

TID Level

100krad(Si)

IRHY9230CMSCS

IRHY9230CMSCSA

S-Level

TO-257AA with Lead

Form Down

S-Level

Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document

page 1 of 13

www.infineon.com/irhirel

2021-06-09

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与IRHY9230CMSCS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRHY9230CMSCSA	INFINEON	获取价格	Rad hard, -200V, -6.5A, single, P-channel MOSFET, R4 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100
IRHY93130CM	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY93130CMPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHY93230CM	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHYB593034CM	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
IRHYB593034CMPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.087ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHYB593Z30CM	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
IRHYB593Z30CMPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHYB597034CM	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)
IRHYB597034CMPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.087ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IRHY9230CMSCS相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRHY9230CMSCS

IRHY9230CMSCS 技术参数

IRHY9230CMSCS 数据手册

与IRHY9230CMSCS相关器件

与IRHY9230CMSCS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRHY9230CMSCS

IRHY9230CMSCS 技术参数

IRHY9230CMSCS 数据手册

与IRHY9230CMSCS相关器件

与IRHY9230CMSCS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？