生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.68 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas): | 97 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.4 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.4 A |
最大漏源导通电阻: | 3.1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-257AA | JESD-30 代码: | R-XSFM-P3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 75 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 13.6 A | 参考标准: | RH - 100K Rad(Si) |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 61 ns |
最大开启时间(吨): | 42 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRHY7130CM | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) | |
IRHY7230CM | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) | |
IRHY7230CMPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRHY7G30CMSE | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO | |
IRHY7G30CMSEPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRHY7G30CMSESCV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRHY8130CM | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) | |
IRHY8130CMPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRHY8230CM | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) | |
IRHY9130CM | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |