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IRHY593130CMSCS

更新时间： 2024-01-22 07:53:54

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
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Power Field-Effect Transistor,

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IRHY593130CMSCS 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
雪崩能效等级（Eas）：	94 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12.5 A	最大漏极电流 (ID)：	12.5 A
最大漏源导通电阻：	0.215 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-257AA	JESD-30 代码：	R-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	参考标准：	MIL-19500
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	130 ns
最大开启时间（吨）：	80 ns	Base Number Matches：	1

IRHY593130CMSCS 数据手册

PD-94343C

IRHY597130CM

JANSR2N7547T3

100V, P-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/712

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

TECHNOLOGY

THRU-HOLE (TO-257AA)

Product Summary

Part Number

IRHY597130CM

IRHY593130CM

Radiation Level RDS(on)

I_D

QPL Part Number

100 kRads(Si)

300 kRads(Si)

-12.5A JANSR2N7547T3

-12.5A JANSF2N7547T3

0.215

TO-257AA

Description

Features

 Single Event Effect (SEE) Hardened

 Fast Switching

 Low RDS(on)

 Low Total Gate Charge

 Simple Drive Requirements

 Hermetically Sealed

 Electrically Isolated

 Ceramic Eyelets

IR HiRel R5 technology provides high performance

power MOSFETs for space applications. These devices

have been characterized for both Total Dose and Single

Event Effect (SEE) with useful performance up to LET of

80 (MeV/(mg/cm²). The combination of low RDS(on) and

low gate charge reduces the power losses in switching

applications such as DC-DC converters and motor

controllers. These devices retain all of the well

established advantages of MOSFETs such as voltage

control, fast switching, ease of paralleling and

temperature stability of electrical parameters.

 Light Weight

 ESD Rating: Class 1B per MIL-STD-750,

Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Symbol

Parameter

Units

I_D1@ V_GS= -12V, T_C= 25°C

Continuous Drain Current

-12.5

I_D2@ V_GS= -12V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

-8.0

-50

I_DM@T_C= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Pulsed Drain Current 

Maximum Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

0.6

V_GS

E_AS

I_AR

± 20

-12.5

7.5

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

V/ns

-4.3

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in./1.6 mm from case for 10s)

4.3 (Typical)

Weight

For Footnotes, refer to the page 2.

International Rectifier HiRel Products, Inc.

2019-02-25

12 3 4 5 6 7 8

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