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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHY597230CM
IRHY597230CM PDF预览

IRHY597230CM

更新时间： 2024-01-10 17:48:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 102K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

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IRHY597230CM 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-257AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.515 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257AAJESD-30 代码：R-MSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHY597230CM 数据手册

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PD - 94319B  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
IRHY597230CM  
200V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
R
5
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHY597230CM 100K Rads (Si) 0.515Ω -8.0A  
IRHY593230CM 300K Rads (Si) 0.515Ω -8.0A  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
T0-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-8.0  
-5.0  
-32  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
80  
mJ  
A
AS  
I
-8.0  
7.5  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
-12  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in/1.6mm from case for 10s )  
4.3 ( Typical )  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/30/03  
12345678

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