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IRHY597130CMPBF

更新时间： 2024-11-19 09:24:27

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	107K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.215ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA

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IRHY597130CMPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	雪崩能效等级（Eas）：	94 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	12.5 A	最大漏源导通电阻：	0.215 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	R-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IRHY597130CMPBF 数据手册

PD - 94343

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-257AA)

IRHY597130CM

100V, P-CHANNEL

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number

Radiation Level RDS(on)

IRHY597130CM 100K Rads (Si) 0.215Ω -12.5A

IRHY593130CM 300K Rads (Si) 0.215Ω -12.5A

International Rectifier’s R5^TMtechnology provides

high performance power MOSFETs for space appli-

cations. These devices have been characterized for

Single Event Effects (SEE) with useful performance

up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm²)). The combination

of low RDS(on) and low gate charge reduces the power

losses in switching applications such as DC to DC

converters and motor control. These devices retain

all of the well established advantages of MOSFETs

such as voltage control, fast switching, ease of paral-

leling and temperature stability of electrical param-

eters.

T0-257AA

Features:

Single Event Effect (SEE) Hardened

Ultra Low RDS(on)

Low Total Gate Charge

Proton Tolerant

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Ceramic Package

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current

-12.5

-8.0

= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

-50

@ T = 25°C

W/°C

Linear Derating Factor

0.6

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

-12.5

7.5

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

V/ns

-4.3

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063in/1.6mm from case for 10s )

4.3 ( Typical )

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

11/19/01

12 3 4 5 6 7 8

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IRHY597230CMPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.515ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
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