5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHY593130CM
IRHY593130CM PDF预览

IRHY593130CM

更新时间： 2024-11-18 03:12:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 108K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHY593130CM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
雪崩能效等级（Eas）：94 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12.5 A最大漏极电流 (ID)：12.5 A
最大漏源导通电阻：0.215 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257AAJESD-30 代码：R-XSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
参考标准：RH - 300K Rad(Si)子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：130 ns
最大开启时间（吨）：80 nsBase Number Matches：1

IRHY593130CM 数据手册

 浏览型号IRHY593130CM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHY593130CM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHY593130CM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHY593130CM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHY593130CM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHY593130CM的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94343  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
IRHY597130CM  
100V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
R
5
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHY597130CM 100K Rads (Si) 0.215Ω -12.5A  
IRHY593130CM 300K Rads (Si) 0.215Ω -12.5A  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
T0-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-12.5  
-8.0  
D
GS  
C
A
I
D
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
GS  
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
-50  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
94  
mJ  
A
AS  
I
-12.5  
7.5  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
-4.3  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in/1.6mm from case for 10s )  
4.3 ( Typical )  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
11/19/01  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRHY593130CM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHY593130CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.215ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
IRHY593130CMSCS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHY593230CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY593230CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.515ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHY597034CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY597034CMSCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -60V, -18A, single, P-channel MOSFET, R5 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100 k
IRHY597130CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY597130CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.215ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
IRHY597230CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY597230CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.515ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IRHY593130CM相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证