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IRHY593034CM

更新时间： 2024-02-09 19:54:27
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8页 205K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

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IRHY593034CM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-257AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257AAJESD-30 代码：R-XSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHY593034CM 数据手册

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ꢁ
PD - 94663A  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
IRHY597034CM  
60V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
5
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHY597034CM 100K Rads (Si) 0.095Ω -18A*  
IRHY593034CM 300K Rads (Si) 0.095Ω -18A*  
T0-257AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Electrically Isolated  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
D
I
D
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-18*  
-12.5  
-72  
GS  
GS  
C
A
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
120  
mJ  
A
AS  
I
-18  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-5.3  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in/1.6mm from case for 10s )  
4.3 ( Typical )  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
05/31/05  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHY593130CM INFINEON

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