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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 雪崩能效等级（Eas）： | 59 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.41 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-257AA | JESD-30 代码： | R-XSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 38.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | RH - 100K Rad(Si) | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 65 ns | 最大开启时间（吨）： | 125 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHY57234CMSEPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 250V, 0.41ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHY57234CMSES | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IRHY57Z30CM | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| IRHY58034CM | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-257AA |
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| IRHY58130CM | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET |
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| IRHY58230CM | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| IRHY58Z30CM | ETC |
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30V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package |
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| IRHY593034CM | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| IRHY593130CM | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| IRHY593130CMPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.215ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, |
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