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IRHMS6S7260

更新时间： 2024-09-15 20:47:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 461K
描述
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

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IRHMS6S7260 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：344 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.029 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：208 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
参考标准：RH - 100K Rad(Si)表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：103 ns最大开启时间（吨）：100 ns
Base Number Matches：1

IRHMS6S7260 数据手册

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PD-97859  
IRHMS6S7260  
200V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
TECHNOLOGY  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (LOW OHMIC - TO-254AA)  
R
6
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHMS6S7260 100 kRads(Si)  
45A*  
45A*  
0.029  
0.029  
IRHMS6S3260  
300 kRads(Si)  
Description  
Features  
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Electrically Isolated  
Light Weight  
IR HiRel R6 S-line technology provides high performance  
power MOSFETs for space applications. These devices  
have been characterized for both Total Dose and Single  
Event Effect (SEE) with useful performance up to LET of  
60 (MeV/(mg/cm2). The combination of low RDS(on) and  
low gate charge reduces the power losses in switching  
applications such as DC-DC converters and motor  
controllers. These devices retain all of the well established  
advantages of MOSFETs such as voltage control, fast  
switching, ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
ESD Rating: Class 3A per MIL-STD-750, Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Pre-Irradiation  
Units  
45*  
ID @ VGS = 12V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID @ VGS = 12V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
35  
A
180  
208  
1.67  
IDM  
Pulsed Drain Current  
W
W/°C  
V
PD @TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current   
± 20  
344  
VGS  
EAS  
IAR  
mJ  
A
45  
20.8  
mJ  
V/ns  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
5.4  
-55 to + 150  
TSTG  
°C  
g
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
Weight  
*Current is limited by package  
For footnotes refer to the page 2.  
1
2017-01-30  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHMS6S7260SCS INFINEON

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 		Rad hard, 200V, 45A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254
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 		Rad hard, 250V, 45A, single, N-channel MOSFET, R9 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254
IRHMS9A93064 INFINEON

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 		Rad hard, -60V, -45A, P-channel MOSFET, R9 in SupIR-SMD package - SupIR-SMD, 300 krad(Si)

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