5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFR4104TRR
IRFR4104TRR PDF预览

IRFR4104TRR

更新时间： 2024-01-14 10:44:09
品牌 Logo 应用领域
科盛美 - KERSEMI /
页数 文件大小 规格书
12页 5033K
描述
AUTOMOTIVE GRADE

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFR4104TRR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.1其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：145 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.0055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR4104TRR 数据手册

 浏览型号IRFR4104TRR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR4104TRR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR4104TRR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR4104TRR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR4104TRR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR4104TRR的Datasheet PDF文件第7页 
AUIRFR4104  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFU4104  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
Advanced Process Technology  
D
S
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
V(BR)DSS  
40V  
5.5m  
RDS(on) max.  
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
Ω
G
119A  
42A  
Description  
D
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
silicon area. Additional features of this design are a  
175°C junction operating temperature, fast switching  
speed and improved repetitive avalanche rating . These  
features combine to make this design an extremely  
efficient and reliable device for use in Automotive appli-  
cations and a wide variety of other applications.  
S
S
D
G
G
D-Pak  
AUIRFR4104  
I-Pak  
AUIRFU4104  
G
Gate  
D
S
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in  
the specifications is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device  
reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.  
Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Max.  
119  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
Units  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
84  
A
@ T = 100°C  
C
42  
@ T = 25°C  
C
480  
DM  
140  
P
@T = 25°C Power Dissipation  
W
W/°C  
V
D
C
0.95  
Linear Derating Factor  
± 20  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
145  
310  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
mJ  
EAS (tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
-55 to + 175  
T
T
Operating Junction and  
J
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
300  
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case )  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.05  
40  
Units  
Rθ  
JC  
Rθ  
JA  
Rθ  
JA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
www.kersemi.com  
1
1234567...12

中文翻译

下载PDF

与IRFR4104TRR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR4104TRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR4105 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=2
IRFR4105 KERSEMI

获取价格

 		Ultra Low On-Resistance
IRFR4105PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFR4105PBF KERSEMI

获取价格

 		Ultra Low On-Resistance
IRFR4105TR INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRFR4105TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFR4105TRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR4105TRL KERSEMI

获取价格

 		Advanced Planar Technology
IRFR4105TRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRFR4104TRR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证