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IRFR420A, IRFU420A, SiHFR420A, SiHFU420A

更新时间： 2024-11-25 14:54:47

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Power MOSFET

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IRFR420A, IRFU420A, SiHFR420A, SiHFU420A

www.vishay.com

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Low gate Charge Q_gresults in simple drive

requirement

V_DS(V)

_DS(on)()

Q_gmax. (nC)

500

V_GS= 10 V

3.0

• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt

ruggedness

4.3

_gs(nC)

_gd(nC)

Available

• Fully

characterized

capacitance

and

8.5

avalanche voltage and current

Configuration

Single

• Effective C_ossspecified

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

APPLICATIONS

• Switch mode power supply (SMPS)

• Uninterruptible power supply

• High speed power switching

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

SiHFR420A-GE3

IRFR420APbF

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

SiHFU420A-GE3

IRFU420APbF

Lead (Pb)-free and Halogen-free

Lead (Pb)-free

SiHFR420ATR-GE3 ^a

IRFR420ATRPbF ^a

SiHFR420ATRL-GE3

IRFR420ATRLPbF

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

3.3

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

2.1

Pulsed Drain Current ^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.67

140

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy ^b

Repetitive Avalanche Current ^a

Repetitive Avalanche Energy ^a

E_AS

I_AR

2.5

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt ^c

_C= 25 °C

for 10 s

P_D

dV/dt

T_J, T_stg

3.4

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak temperature) ^d

-55 to +150

300

°C

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 45 mH, R_g= 25 , I_AS= 2.5 A (see fig. 12).

c. I_SD 2.5 A, dI/dt  270 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

S16-1522-Rev. D, 08-Aug-16

Document Number: 91274

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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IRFR420ATRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFR420ATRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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IRFR420ATRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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