IRFR420

更新时间： 2024-02-29 20:30:08

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
8页	1884K
描述
Power MOSFET

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IRFR420 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	2.4 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR420 数据手册

IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

• Repetitive Avalanche Rated

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

RoHS*

COMPLIANT

• Surface Mount (IRFR420/SiHFR420)

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.3

• Straight Lead (IRFU420/SiHFU420)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR120TRLPbF^a

SiHFR120TL-E3^a

IRFR120TRL^a

IPAK (TO-251)

IRFU420PbF

SiHFU420-E3

IRFU420

IRFR420PbF

SiHFR420-E3

IRFR420

IRFR420TRPbF^a

SiHFR420T-E3^a

IRFR420TR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR420

SiHFR420T^a

SiHFR120TL^a

SiHFU420

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

2.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.5

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.0

Linear Derating Factor

0.33

0.020

400

2.4

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

I_AR

E_AR

4.2

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

3.5

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91275

S-Pending-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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IRFR420 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR420TRRPBF	VISHAY	完全替代	暂无描述
IRFR420PBF	VISHAY	类似代替	Power MOSFET
IRFR420TRLPBF	VISHAY	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与IRFR420相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR4209A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-252AA
IRFR420A	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR420A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR420A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR420A, IRFU420A, SiHFR420A, SiHFU420A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR420APBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR420APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR420APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) m
IRFR420ATRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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