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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.06 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.4 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 42 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR420TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFR420TR | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR420TR | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
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| IRFR420TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFR420TRL | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFR420TRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFR420TRPBF | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
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| IRFR420TRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR420TRR | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
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| IRFR420TRR | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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