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IRFR420TRLPBF

更新时间： 2024-02-25 19:32:20

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	1238K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,

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IRFR420TRLPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.07
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	2.4 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR420TRLPBF 数据手册

IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420

www.vishay.com

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Dynamic dV/dt rating

V_DS(V)

_DS(on)()

Q_gmax. (nC)

500

• Repetitive avalanche rated

V_GS= 10 V

3.0

• Surface mount (IRFR420, SiHFR420)

3.3

• Straight lead (IRFU420, SiHFU420)

_gs(nC)

_gd(nC)

Available

• Available in tape and reel

• Fast switching

Configuration

Single

• Ease of paralleling

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252) DPAK (TO-252)

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

Lead (Pb)-free and Halogen-free SiHFR420-GE3 SiHFR420TR-GE3 ^aSiHFR420TRL-GE3 ^aSiHFR420TRR-GE3 ^aSiHFU420-GE3

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

IRFR420PbF

IRFR420TRPbF ^a

IRFR420TRLPbF ^a

IRFR420TRRPbF ^a

IRFU420PbF

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

2.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

1.5

Pulsed Drain Current ^a

I_DM

8.0

Linear Derating Factor

0.33

0.020

400

W/°C

Linear Derating Factor (PCB mount) ^e

Single Pulse Avalanche Energy ^b

Repetitive Avalanche Current ^a

E_AS

I_AR

2.4

Repetitive Avalanche Energy ^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

Maximum Power Dissipation (PCB mount) ^e

Peak Diode Recovery dV/dt ^c

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

3.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak temperature) ^d

T_J, T_stg

-55 to +150

260

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 124 mH, R_g= 25 , I_AS= 2.4 A (see fig. 12).

c. I_SD 2.4 A, dI/dt  50 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

S16-1522-Rev. E, 08-Aug-16

Document Number: 91275

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR420TRPBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR420TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR420TRR	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR420TRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFR420TRRPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRFR421	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-252AA
IRFR422	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.2A I(D) \| TO-252AA
IRFR430	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-252AA
IRFR430A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR430A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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