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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR430A

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IRFR430A

更新时间： 2024-02-08 02:43:07

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SMPS MOSFET

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PD - 94356A

SMPS MOSFET

IRFR430A

IRFU430A

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l Switch Mode Power Supply (SMPS)

l Uninterruptible Power Supply

l High speed power switching

V_DSS

500V

R_DS(on) max

I_D

1.7Ω

5.0A

Benefits

l Low Gate Charge Qg results in Simple

Drive Requirement

l Improved Gate, Avalanche and dynamic

dv/dt Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche Voltage and Current

l Effective C_OSSspecified (See AN 1001)

D-Pak

IRFR430A

I-Pak

IRFU430A

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

5.0

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

3.2

A

20

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

110

W

W/°C

V

Linear Derating Factor

0.91

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

3.0

V/ns

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

Avalanche Characteristics

Parameter

Single Pulse Avalanche Energy

Typ.

Max.

Units

mJ

E_AS

I_AR

–––

–––

–––

130

5.0

11

Avalanche Current

A

E_AR

Repetitive Avalanche Energy

mJ

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

1.1

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

0.50

–––

–––

62

°C/W

www.irf.com

1

02/26/002

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR430APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR430APBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR430APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR430ATR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR430ATRA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR430ATRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR430ATRL	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR430ATRLA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR430ATRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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