IRFR430ATRR

更新时间： 2024-11-24 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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8页	158K
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Power MOSFET

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IRFR430ATRR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	1.7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	110 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR430ATRR 数据手册

IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.7

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

6.5

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR430APbF

SiHFR430A-E3

IRFR430A

DPAK (TO-252)

IRFR430ATRPbF^a

SiHFR430AT-E3^a

IRFR430ATR^a

DPAK (TO-252)

IRFR430ATRLPbF^a

SiHFR430ATL-E3^a

IRFR430ATRL^a

SiHFR430ATL^a

DPAK (TO-252)

IRFR430ATRRPbF^a

SiHFR430ATR-E3^a

IRFR430ATRR^a

SiHFR430ATR^a

IPAK (TO-251)

IRFU430APbF

SiHFU430A-E3

IRFU430A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR430A

SiHFR430AT^a

SiHFU430A

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

5.0

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

3.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.91

130

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

5.0

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

110

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 11 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 5.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.0 A, dI/dt ≤ 320 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91276

S-81366-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR430ATRRA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR430ATRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR430ATRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFR430ATRRPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR430B	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
IRFR430BTM	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR430BTM	ROCHESTER	获取价格	3.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
IRFR4510	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRFR4510PBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFR4510TRPBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

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