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IRFR48ZTRRPBF

更新时间： 2024-11-27 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	348K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRFR48ZTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	74 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	42 A	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	91 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR48ZTRRPBF 数据手册

PD - 95950A

IRFR48ZPbF

IRFU48ZPbF

Features

Advanced Process Technology

HEXFET^®Power MOSFET

UltraLowOn-Resistance

175°COperatingTemperature

Fast Switching

V_DSS= 55V

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free

R_DS(on)= 11mΩ

Description

I_D= 42A

ThisHEXFET^®PowerMOSFETutilizesthelatest

processing techniques to achieve extremely low

on-resistancepersiliconarea.Additionalfeatures

of this design are a 175°C junction operating

temperature, fast switching speed and improved

repetitiveavalancherating.Thesefeaturescombine

to make this design an extremely efficient and

reliable device for use in a wide variety of

applications.

I-Pak

IRFU48ZPbF

D-Pak

IRFR48ZPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

@ T = 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

@ T = 100°C

(Package Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T = 25°C

250

@T = 25°C Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.61

± 20

W/°C

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

E_{AS (Thermally limited)}

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

_AS(Tested )

110

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

Repetitive Avalanche Energy

Operating Junction and

E_AR

-55 to + 175

Storage Temperature Range

°C

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.64

Units

Junction-to-Case

R_θ

Junction-to-Ambient (PCB mount)

Junction-to-Ambient

–––

°C/W

–––

110

HEXFET^®isaregisteredtrademarkofInternationalRectifier.

www.irf.com

09/27/10

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRFR5305	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A)
IRFR5305HR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR5305PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on)
IRFR5305PBF	KERSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR5305TR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRFR5305TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
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