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IRFR420TRR

更新时间： 2024-01-16 06:09:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	1238K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRFR420TRR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

IRFR420TRR 数据手册

IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420

www.vishay.com

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Dynamic dV/dt rating

V_DS(V)

_DS(on)()

Q_gmax. (nC)

500

• Repetitive avalanche rated

V_GS= 10 V

3.0

• Surface mount (IRFR420, SiHFR420)

3.3

• Straight lead (IRFU420, SiHFU420)

_gs(nC)

_gd(nC)

Available

• Available in tape and reel

• Fast switching

Configuration

Single

• Ease of paralleling

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252) DPAK (TO-252)

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

Lead (Pb)-free and Halogen-free SiHFR420-GE3 SiHFR420TR-GE3 ^aSiHFR420TRL-GE3 ^aSiHFR420TRR-GE3 ^aSiHFU420-GE3

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

IRFR420PbF

IRFR420TRPbF ^a

IRFR420TRLPbF ^a

IRFR420TRRPbF ^a

IRFU420PbF

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

2.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

1.5

Pulsed Drain Current ^a

I_DM

8.0

Linear Derating Factor

0.33

0.020

400

W/°C

Linear Derating Factor (PCB mount) ^e

Single Pulse Avalanche Energy ^b

Repetitive Avalanche Current ^a

E_AS

I_AR

2.4

Repetitive Avalanche Energy ^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

Maximum Power Dissipation (PCB mount) ^e

Peak Diode Recovery dV/dt ^c

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

3.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak temperature) ^d

T_J, T_stg

-55 to +150

260

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 124 mH, R_g= 25 , I_AS= 2.4 A (see fig. 12).

c. I_SD 2.4 A, dI/dt  50 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

S16-1522-Rev. E, 08-Aug-16

Document Number: 91275

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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IRFR420TRR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR420TRRPBF	VISHAY	完全替代	暂无描述
IRFR420TRLPBF	VISHAY	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与IRFR420TRR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR420TRRPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRFR421	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-252AA
IRFR422	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.2A I(D) \| TO-252AA
IRFR430	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-252AA
IRFR430A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR430A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR430A	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR430APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR430APBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET

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