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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.37 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR422 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA |
|
| IRFR430 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-252AA |
|
| IRFR430A | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR430A | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR430A | INFINEON |
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SMPS MOSFET |
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| IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430A | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR430APBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR430APBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR430APBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFR430ATR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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