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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 10 weeks |
| 风险等级： | 5.04 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR420ATRPbF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR420ATRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR420ATRR | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR420B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| IRFR420BTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR420BTMBLT-NBEA009 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| IRFR420PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
|
| IRFR420PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR420PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = |
|
| IRFR420TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
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