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IRFR420B

更新时间： 2024-02-02 06:48:48
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 650K
描述
500V N-Channel MOSFET

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IRFR420B 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.06Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR420B 数据手册

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November 2001  
IRFR420B / IRFU420B  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies,  
power factor correction and electronic lamp ballasts based  
on half bridge.  
•
•
•
•
•
•
2.3A, 500V, R  
= 2.6Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 14 nC)  
Low Crss ( typical 10 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
!
G
I-PAK  
D-PAK  
G
S
IRFR Series  
IRFU Series  
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRFR420B / IRFU420B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
2.3  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
1.5  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
8.0  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
200  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
2.3  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.1  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
41  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.33  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
stg  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
3.05  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
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IRFR420B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Dynamic dV/dt Rating
IRFR420PBF VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFR420PBF INFINEON

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