Datasheet > IRFR420A

IRFR420A

更新时间： 2024-01-16 23:57:29

品牌	Logo	应用领域
科盛美 - KERSEMI		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
7页	2686K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFR420A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	2.4 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR420A 数据手册

IRFR420A, IRFU420A, SiHFR420A,

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

4.3

8.5

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

_gd(nC)

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR420ATRPbF^a

SiHFR420AT-E3^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRFU420APbF

SiHFU420A-E3

IRFU420A

IRFR420APbF

SiHFR420A-E3

IRFR420A

IRFR420ATRLPbF

Lead (Pb)-free

SiHFR420ATL-E3

SnPb

SiHFR420A

SiHFU420A

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

3.3

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

2.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.67

140

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

2.5

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.4

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 45 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.5 A, dI/dt ≤ 270 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

www.kersemi.com

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IRFR420A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR420A, IRFU420A, SiHFR420A, SiHFU420A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR420APBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR420APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR420APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) m
IRFR420ATRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFR420ATRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR420ATRLPBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR420ATRPbF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR420ATRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR420ATRR	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET

与IRFR420A相关文章

BSS123LT1资料解读：电气参数及替代型号推荐
2024-06-21

9
LTC1151C双通道±15V零漂移运算放大器全面解读
2024-06-21

12
CNX36手册解读：产品特性、应用及封装引脚详解
2024-06-21

7
PS9552资料解读：引脚信息、电气参数
2024-06-21

7

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR420A

IRFR420A 技术参数

IRFR420A 数据手册

与IRFR420A相关器件

与IRFR420A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR420A

IRFR420A 技术参数

IRFR420A 数据手册

与IRFR420A相关器件

与IRFR420A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？