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IRFR420APBF

更新时间： 2024-02-25 15:26:36

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科盛美 - KERSEMI		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
7页	2686K
描述
Power MOSFET

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IRFR420APBF 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	2.4 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR420APBF 数据手册

IRFR420A, IRFU420A, SiHFR420A,

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

4.3

8.5

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

_gd(nC)

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR420ATRPbF^a

SiHFR420AT-E3^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRFU420APbF

SiHFU420A-E3

IRFU420A

IRFR420APbF

SiHFR420A-E3

IRFR420A

IRFR420ATRLPbF

Lead (Pb)-free

SiHFR420ATL-E3

SnPb

SiHFR420A

SiHFU420A

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

3.3

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

2.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.67

140

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

2.5

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.4

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 45 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.5 A, dI/dt ≤ 270 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

www.kersemi.com

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